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GreenMOS系列高压MOSFET产品具有比常规超级结MOSFET产品更快的开关速度和更柔和的开关曲线,可以极大的简化系统EMI设计、提高系统效率并降低系统发热量。
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SFGMOS系列MOSFET产品采用半浮栅结构,兼备了传统平面结构和SGT结构的功率MOSFET的优点,并具有更高的工艺稳定性和可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。
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赢咖2计划推出高速系列、低Vcesat系列、RC系列等IGBT产品,涵盖650V~1700V电压,可广泛应用于白色家电、新能源逆变器、汽车驱动等领域。
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2024/08/05
赢咖2半导受邀参加苏州市半导体与集成电路专场活动
2024/07/30
赢咖2半导受邀参加纳米公司党委建党103周年主题活动
2024/03/13
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